Mikroelektronikforschung am Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB) der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)

Infrastruktur	Umfeld
Reinraumlabor der FAU gemeinsamer Betrieb durch Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente und Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB) 1000 m2 Reinraumfläche durchgängige Prozesslinie für Si und SiC Analytik und elektrische Messtechnik u.a.: Halbautomatische 200 mm-Prober Hochvolt-Prober Temperaturabhängige Charakterisierung	Südcampus der Technischen Fakultät mit den Departments Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik, Werkstoffwissenschaften, Maschinenbau, Informatik, Chemie- und Bioingenieurwesen, Artifical Intelligence in Biomedical Engineering Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB) Wertschöpfungskette vom Material (Kristall) bis zum System
Lehre
Grundlagen Halbleiterbauelemente Vorlesungszyklus zur Halbleitertechnologie (HLT) Technologie integrierter Schaltungen, Prozess- und Bauelementesimulation, Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen, Optische Lithographie Vorlesungszyklus zur Halbleitertechnik (HL) Bipolartechnik, CMOS-Technik, Leistungshalbleiterbauelemente, Nanoelektronik, Halbleiter- und Bauelementemesstechnik, Flexible Elektronik Vorlesungszyklus zur Quantenelektronik (QE) Tunnel- und „Quantum Well“-Bauelemente, Spintronik und „Quantum Computation“, Ausgewählte Kapitel der höheren Physik

Zusatzinformation:

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB) befasst sich mit der angewandten Forschung in den Bereichen Technologie und Fertigung elektronischer Bauelemente. Der LEB unterhält ein Reinraumgebäude mit einer Laborfläche von insgesamt ca. 1000 m2. Der Lehrstuhl arbeitet eng mit dem von Prof. Schulze in Personalunion geleiteten Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB) zusammen. Forschungsschwerpunkte des Lehrstuhls liegen bei der Entwicklung, Charakterisierung und Simulation neuer Herstellungsverfahren und Bauelemente sowie bei der Entwicklung und Optimierung von Anlagen und Materialien für die Mikro- und Nanoelektronik.

Ein Fokus der Forschungsaktivitäten liegt bei der Entwicklung und Charakterisierung von Bauelementen und Materialen mit großer Bandlücke, insbesondere Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Die Anwendungsfelder reichen von Photonik (u.a. SiC-UV-Sensoren), über Leistungselektronik (u.a. SiC-LeistungsMOSFETs) und Hochtemperaturanwendungen bis zu quantenelektronischen Anwendungen durch die Funktionalisierung von Farbzentren in SiC.

Darüber hinaus wird in der Arbeitsgruppe von Dr. Saskia Schimmel an der Entwicklung neuartiger Nitrid-Halbleiter mittels Ammonothermalsynthese geforscht.

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