Atomlagenabscheidung

Die Atomlagenabscheidung (engl. atom layer deposition, ALD) ist ein Verfahren, mit dem dünne Schichten auf einem Substrat erzeugt werden können – und ein wichtiges Querschnittsthema im Forschungsverbund ForLab.

Denn ALD ist überall dort von Bedeutung, wo Schichten mit Abmessungen im Nanometer-Bereich aufgebracht werden müssen.

In der Mikroelektronik wurde diese Methode erst allmählich interessant, denn für die Herstellung von dickeren Schichten sind andere Verfahren attraktiver. Doch mit der zunehmenden Miniaturisierung und der beständigen Verringerung der Strukturbreiten ist die Atomlagenabscheidung unverzichtbar geworden.

Wenn in der Halbleiterfertigung Schichten extrem dünn oder hochgenau abgeschieden werden müssen, kommt die Atomlagenabscheidung zum Einsatz. Die Technik ist flexibel und dabei sehr präzise; mit ALD lassen sich definierte Schichten auch dreidimensional erzeugen.

Im ForLab-Verbund wird die Atomlagenabscheidung daher von vielen Arbeitsgruppen eingesetzt. Aus diesem Grund ist sie ein Fokusthema in Workshops, auch mit Partnern aus der Industrie.